【功能简介】
紫外曝光机（掩膜对准曝光机）依托近紫外汞灯光源，透过光刻掩膜版将预设图形转移至涂覆光刻胶的基片表面。设备可完成掩膜与晶圆的精密对准、紫外曝光，通过光化学反应使光刻胶发生曝光改性，后续经显影得到所需微纳图形。该设备采用接触 / 接近式光刻工艺，操作简便、加工效率高，适合批量制备微米级图形结构，广泛用于微流控、MEMS、光电子器件、薄膜器件等样品的光刻工艺开发与小批量加工。
【参数配置】
型号：MDA-400M
光源：350W 汞灯（标准）
工作波长：近紫外 NUV 350–450 nm，主峰值 365 nm
光强：最大 30 mW/cm²（365 nm），常规 20~30 mW/cm²
有效曝光光束：4.25×4.25 inch
光面均匀性：≤±3%（4 英寸整片）
曝光时间：0.1 ~ 999.9 s
【存放地点】
微纳加工与测试中心 伯苓楼C105
联系人：郑老师 18526548067
