【功能简介】

  等离子体增强化学气相沉积设备（PECVD），通过平行电容板电场放电产生等离子体，可以在400℃及以下沉积比较致密、均匀性较好的氧化硅、TEOS、BPSG、氮化硅、氮氧化硅、非晶硅、非晶碳、非晶碳化硅等薄膜。该设备采用8英寸产线设备所通用的国际标准零部件，符合SEMI设计标准。

【参数配置】

型号：Shale® A 鲁汶仪器

1.样品直径：最大8英寸

2.沉积材料：氧化硅、氮化硅、碳化硅、氧氮化硅、非晶硅

3.SiO₂片内均匀性优于5%

4.SiO₂片间均匀性优于5%

5.氮化硅薄膜正梯形台阶覆盖率≥70%

6.SiO₂氢氟酸腐蚀速率小于150nm/min

【存放地点】

微纳加工与测试中心  伯苓楼C107

联系人：郑老师 18526548067