原子层沉积系统

发布时间:2026-08-26浏览次数:12

【功能简介】

 原子层沉积(ALD)通过脉冲交替通入气相前驱体与反应物,在基底表面反应成膜,适配复杂结构基材,所得薄膜致密无针孔、保形性与均匀性出色。

【参数配置】

型号:Exploiter E200sp,深圳原速光电

1.样品直径:最大8英寸

2.膜厚结果不均匀性优于2%

3.工艺温度:温度范围:RT~500°C 

4.反应物路数:支持2路反应物气路

5.标准载气:N2

6.等离子体系统:支持4路等离子体气体

7.射频功率:0~1000W

8.本底真空度:<5x10-3 Torr

9.前驱体种类:氧化铝、氧化哈、二氧化钛、氧化锆

【存放地点】

微纳加工与测试中心  伯苓楼C107

联系人:郑老师 18526548067


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