【功能简介】

反应离子束刻蚀机（Reactive Ion Beam Etch System）是一种广泛应用于半导体制造的刻蚀技术。它利用辉光放电原理，使工艺气体发生电离产生离子，离子经过光学栅网引出、聚焦成束，经中和器中和成电中性并具有一定能量的离子束。并利用一定能量的离子轰击材料表面，使材料原子发生溅射，实现刻蚀目标。其离子束刻蚀能量可控、刻蚀方向与入射角相关，因此具有实现两侧不同角度刻蚀等能力。在磁头制造、集成电路、光栅等领域具有广阔应用前景。

【参数配置】

型号：Haasrode® Lorem® R

1.工艺腔腔室：极限真空< 7E-7 Torr

2.工艺气路：Ar, N₂, O₂, CHF₃, CF₄, SF₆

3.8寸基片单片装载，自转转速0-20RPM

4.载片台倾斜度可调，调节范围-90-80度

5.样品加工角度：20-45°

【成果展示】

【存放地点】

微纳加工与测试中心  伯苓楼C106

联系人：郑老师 18526548067