【功能简介】

反应离子刻蚀（Reactive Ion Etching，RIE）是一种广泛应用于半导体制造、MEMS制造、微纳加工的干法刻蚀技术，使用等离子体状态的反应气体，以化学和物理方式从表面去除材料，可在各种材料（如氧化硅、氮化硅）表面创建高分辨率和各向异性的图案。与其他化学刻蚀方法相比，RIE具有能够实现高刻蚀速率和各向异性刻蚀的优势。

【参数配置】

型号：Sentech

1. 工艺腔腔室：极限真空< 7E-7 Torr

2. 工艺气路：Ar, N₂, O₂, CHF₃, CF₄, SF₆

3. 8寸基片单片装载，自转转速0-20RPM

4. 载片台倾斜度可调，调节范围-90-80度

5. 样品加工角度：20-45°

【存放地点】

微纳加工与测试中心  伯苓楼C106

联系人：郑老师 18526548067