【功能简介】

电子束曝光系统利用聚焦电子束对各种正性或负性电子敏感抗蚀剂表面进行图形化扫描。该系统通常使用热场发射源生成一束电子，通过若干级静电或磁透镜聚焦电子束，并在电子枪中成形。计算机系统控制电磁偏转线圈，使电子束在有效视场范围内扫描，实现快门开关控制和图形刻写，可轻松生成和修改图形，制备周期短。电子束曝光可在无掩膜的情况下，高精度地制备超越光学衍射极限特征尺寸的结构，适用于快速原型设计和复杂图形的制作。

【参数配置】

型号：：Raith eLINE Plus

• 1. 加速电压：20V-30kV

• 2. 曝光最小特征尺寸：不大于8nm

• 3. 最小周期结构：周期不大于40nm，线宽不大于20nm

• 4. 束电流范围：5pA-20nA

• 5. 写场大小：0.5pm-2mm

• 6. 同一写场套刻精度：不大于50 nm

【存放地点】

微纳加工与测试中心  伯苓楼C105

联系人：郑老师 18526548067